N-CHANNEL 500V 0.72 OHM TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET The STB9NK50ZT4 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.65Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STB9NK50ZT4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **TO-220FP Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on manufacturer-provided data.