N-CHANNEL 600V The STB9NC60T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB9NC60T4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for various power management applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.