N-CHANNEL 600V The STB9NC60 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB9NC60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive loads.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal dissipation.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees ruggedness in harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.