STB9NB60

N-CHANNEL 600V -0.7 OHM The STB9NB60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on the provided knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB9NB60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits, motor control, and other industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (0.6Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-263 (D²PAK) Package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or testing conditions, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 600V -0.7 OHM