N-CHANNEL 500V The **STB9NB50T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- **Low gate charge** for improved efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **Low on-resistance** minimizes conduction losses.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- Suitable for **switching power supplies, motor control, and lighting applications**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.