### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (typ) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- Low gate charge for **efficient switching performance**.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in inductive loads.  
- **Fast switching** capability for power supply and motor control applications.  
- **TO-263 (D²PAK)** package for surface-mount applications.  

This MOSFET is commonly used in **switching power supplies, motor drives, and inverters**.