STB8NM60T4

N-CHANNEL 650V@Tjmax The **STB8NM60T4** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) / 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB8NM60T4 is a high-voltage MOSFET designed for **switching applications**, offering **low on-resistance** and **fast switching performance**. It is suitable for **power supplies, motor control, and lighting applications**.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **100% avalanche tested** for robustness  
- **Low intrinsic capacitances** for reduced switching losses  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is optimized for **high-efficiency power conversion** in industrial and consumer applications.

N-CHANNEL 650V@Tjmax