OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STB8NA50 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB8NA50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.6Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

The STB8NA50 is commonly used in applications such as:  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control circuits  
- Inverters  
- Electronic ballasts  
- High-voltage DC-DC converters  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.