P-CHANNEL 55V The STB80PF55T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STB80PF55T4  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ K5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 5.5mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5V (Typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (Typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (Typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The STB80PF55T4 is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It utilizes STMicroelectronics' MDmesh™ K5 technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management in automotive and industrial systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications with a continuous drain current of 80A.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Thermal Efficiency:** TO-263 package provides good thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-CHANNEL 55V The **STB80PF55T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 55V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Optimized gate charge** for efficient driving.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power management circuits**.  

Would you like additional details on any specific parameter?

P-CHANNEL 55V The STB80PF55T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (STM)  

### **Part Number:**  
STB80PF55T4  

### **Type:**  
Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** STripFET™ II Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **R_DS(on) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-263 (D²PAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Optimized for high-current applications  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Improved thermal performance due to STripFET™ II technology  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- High-current switching circuits  

This information is based solely on STMicroelectronics' official datasheet for the STB80PF55T4.

P-CHANNEL 55V The STB80PF55T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about the device:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 55V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5 mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 5.5 mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- N-channel Power MOSFET optimized for high-efficiency power switching applications.  
- Designed for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Low on-resistance for reduced power dissipation.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- 100% avalanche tested.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics datasheet.