N-CHANNEL 55V The **STB80NF55L-08** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)**  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  

### **Applications:**  
- Power switching in DC-DC converters  
- Motor control  
- Automotive systems  
- Power supplies  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed technical specifications, refer to the official STMicroelectronics documentation.