STB80NF55L-08.

N-CHANNEL 55V The STB80NF55L-08 is an N-channel power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature:** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB80NF55L-08 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 55V