**Part Number:** STB80NF55L-06T4  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **High Current Capability:** Supports high continuous and pulsed drain currents.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic-level signals.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)