STB80NF55-06T4

N-CHANNEL 55V The **STB80NF55-06T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** STB80NF55-06T4  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The **STB80NF55-06T4** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high switching efficiency, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 55V