N-CHANNEL 55V The **STB80NF55-06T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 55V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 6.0 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **STB80NF55-06T4** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Avalanche ruggedness  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.

N-CHANNEL 55V The **STB80NF55-06T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** STB80NF55-06T4  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The **STB80NF55-06T4** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high switching efficiency, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 55V The **STB80NF55-06T4** is a Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details about this component:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 55V The STB80NF55-06T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
### **Part Number:** STB80NF55-06T4  

### **Description:**  
The STB80NF55-06T4 is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and high-speed switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 320A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 6.0 mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 60nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 300mJ  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- 100% avalanche tested  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:** TO-263 (D2PAK)  

This MOSFET is commonly used in power management, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)