N-CHANNEL 55V The STB80NF55-06 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB80NF55-06 is a high-performance N-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- Avalanche ruggedness  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.