N-CHANNEL 100V The STB80NF10T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB80NF10T4 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching performance  
- High power dissipation capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.

N-CHANNEL 100V The **STB80NF10T4** is a power MOSFET manufactured by **ON Semiconductor**. Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The **STB80NF10T4** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification in high-power circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion.  
- **High current handling** for demanding applications.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.

N-CHANNEL 100V The **STB80NF10T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**
The **STB80NF10T4** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for high-efficiency power conversion in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power supplies, and automotive applications**.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)