**Part Number:** STB80NF10  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The STB80NF10 is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced avalanche ruggedness  
- Improved gate charge for better efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.