### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.