N-CHANNEL 30V The STB80NE03L-06T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 320A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 6mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robustness against voltage spikes.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and automotive systems.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.