N-CHANNEL 30V The STB80NE03L-06 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STB80NE03L-06  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STB80NE03L-06 is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal performance  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.