N-CHANNEL 800V The **STB7NK80ZT4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**
The **STB7NK80ZT4** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (1.2Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is optimized for high-voltage, high-speed switching applications with improved thermal performance due to its TO-263 package.