N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The **STB7NB60T4** is a **N-channel 600V, 6A, 1.2Ω MDmesh™ M2 Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 6A (continuous)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Features:**  
- **MDmesh™ M2 Technology:** Optimized for high efficiency and reduced switching losses.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability in avalanche mode.  
- **Fast Intrinsic Diode:** Minimizes reverse recovery time.  
- **Applications:** Used in **SMPS (Switch Mode Power Supplies), lighting, motor control, and industrial applications**.  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency power conversion systems.