N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STB7NB60-1 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STB7NB60-1 is a high-voltage, fast-switching MOSFET designed for power applications requiring high efficiency and reliability. It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for switch-mode power supplies (SMPS), motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-263 (D2PAK) Package**  

This MOSFET is RoHS compliant and halogen-free, meeting environmental standards.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)