N-CHANNEL 30V The **STB70NH03LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1700pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** surface-mount package  

### **Description:**  
The **STB70NH03LT4** is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and high switching efficiency, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (70A continuous, 280A pulsed)  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Optimized for high-efficiency switching**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power supplies, and battery management systems**.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)