N-CHANNEL 30V The STB70NF3LLT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min), 2.35V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB70NF3LLT4 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and high switching efficiency, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (70A continuous).  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.