N-CHANNEL 900V The STB6NK90ZT4 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the provided knowledge base:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STB6NK90ZT4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications with good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.