N-CHANNEL 900V 1.75 OHM 5.8A TO-220/TO-220FP D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STB6NK90Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB6NK90Z is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- The device is suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.