N-CHANNEL 600V 1 OHM 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STB6NK60Z-1 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB6NK60Z-1 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness in harsh conditions.  
- **Fast intrinsic diode** for improved reverse recovery performance.  
- **TO-220FP package** for better thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.