N-CHANNEL 600V 1.0 OHM The STB6NC60T4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB6NC60T4 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- Low gate charge for improved efficiency  
- High dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

The device is available in a TO-263 (D2PAK) surface-mount package.  

(Note: Always refer to the official ST datasheet for the most accurate and detailed information.)