### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB6NC60-1 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  

The device is available in a TO-263 (D2PAK) package for efficient power dissipation.