OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STB6NA60 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Descriptions and Features:**
- High-voltage, fast-switching N-channel MOSFET.  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for high-efficiency power switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.