N-CHANNEL 24V The STB60NH02LT4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.2mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB60NH02LT4 is a low-voltage, high-current N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Enhanced thermal performance due to D2PAK package  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.