N-CHANNEL 24V The STB60NH02L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 2.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  
### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for high efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 60A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable operation in harsh conditions.  
- **Logic Level Compatible:** Can be driven by low-voltage gate signals.  
- **Applications:** Used in power management, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.