N-CHANNEL 60V The **STB60NF06LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details about the part:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The **STB60NF06LT4** is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Low R_DS(on) for high efficiency  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from the official STMicroelectronics datasheet for the STB60NF06LT4.