N-CHANNEL 60V The **STB60NE06L-16** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The **STB60NE06L-16** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for automotive, industrial, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Handling:** Supports up to 60A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **TO-263 (D²PAK) Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.