N The STB60N03L-10 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Part Number:** STB60N03L-10  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 80nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ  
- **Operating Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STB60N03L-10 is a low-voltage, N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for enhanced efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- High current capability  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB60N03L-10.