N-CHANNEL 500V The STB5NK50Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB5NK50Z is an N-channel 500V power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses  
- **TO-263 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.