N-CHANNEL 500V The STB5NC50 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about the device:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB5NC50 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using STMicroelectronics' proprietary PowerMESH™ technology, which ensures low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220 package for easy mounting**  

This information is sourced from STMicroelectronics' official documentation. No additional guidance or suggestions are provided.