N-CHANNEL 500V The STB5NC50-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB5NC50-1 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for efficient power switching.  
- The device is housed in a TO-263 (D²PAK) package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB5NC50-1.