N-CHANNEL 60V The STB55NF06T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 90nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.