N-CHANNEL 60V The STB55NF06LT4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 220A  
- **Power Dissipation (PD):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 14mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 175°C  
### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK) Package**  
- **3-pin configuration**  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for high efficiency  
- **High Current Handling Capability**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Tested for RDS(on)**  
- **Optimized for DC-DC Converters and Motor Control**  
The STB55NF06LT4 is designed for high-power applications such as power supplies, motor drivers, and automotive systems.