N-CHANNEL 30V The STB55NF03L is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 8.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STB55NF03L is a low-voltage, high-current MOSFET designed for power management applications. It is optimized for low on-resistance and high switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

The device is available in a TO-263 (D2PAK) package for efficient power dissipation.