N-CHANNEL 30V The STB55NF-03LT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** StripFET™  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 220A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(on) (Max):**  
  - 3.5mΩ @ VGS = 10V  
  - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (Min) – 2.5V (Max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 90nC (Typ) @ VDS = 15V, VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF (Typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions:**  
The STB55NF-03LT4 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features STMicroelectronics' advanced StripFET™ technology, which provides low on-resistance and high switching efficiency.  
### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved thermal resistance  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.