STB55NE06

N The STB55NE06 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 48ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The STB55NE06 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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