N The STB50NE08 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The STB50NE08 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and fast switching speeds, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling** (50A continuous, 200A pulsed)  
- **Fast switching** for efficient power conversion  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Low gate charge** for enhanced drive efficiency  
- **TO-263 (D2PAK) package** for better thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.