### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 48W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Features:**  
- **Zener-protected gate** for enhanced ruggedness  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low C_rss (reverse transfer capacitance)** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220FP (isolated tab) package**  

### **Applications:**  
- **Switching power supplies**  
- **Motor control**  
- **Lighting systems**  
- **Industrial applications**  

This MOSFET is designed for **high-voltage, high-efficiency switching applications** with robust performance.