N-CHANNEL 600V The STB4NK60Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB4NK60Z is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is part of ST’s MDmesh™ technology, offering low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, lighting, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved efficiency in high-frequency switching.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Low intrinsic capacitances** to minimize switching losses.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

For exact application details, refer to the official ST datasheet.