N-CHANNEL 150V 0.042 OHM 40A D2PAK MESH OVERLAY MOSFET The STB40NS15T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  

### **Description:**  
The STB40NS15T4 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and high current capability, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-State Resistance (RDS(on)):**  
  - 12mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 15mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:** TO-263 (D2PAK)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.