N-CHANNEL 100V The STB40NF10 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The STB40NF10 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Improves reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.