### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description & Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching applications**.  
- **Low gate charge** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Fast switching performance** suitable for SMPS, motor control, and lighting applications.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  

This MOSFET is optimized for **energy-efficient power conversion** in industrial and consumer electronics.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)