N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK The STB3N62K3 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 620 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STB3N62K3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- High voltage capability (620 V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB3N62K3.